反應離子蝕刻技術是一種物理化學工藝過程。化學反應氣體(自由基、離子)與待除去的銅箔反應。生成一種揮發(fā)性氣體化合物，它很容易從此表面上抽吸掉。反應等離子蝕刻是有選擇性的，優(yōu)先與要去除的銅箔發(fā)生反應，但不與保護膠發(fā)生反應。反應離子蝕刻可以是全方位的(各向同性)，也可以是有方向性的(各向異性)，取決于使用的等離子條件。當然，在高精度的制造場合，我們選取的是其各向異性的特征。該蝕刻方式不僅蝕刻精度高，而且蝕刻速率快(每分鐘蝕刻銅箔的速率為幾千埃)，是最為理想的高精度時刻方式。

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